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DDR2DDR3DQRD數據讀測試,DDR2DDR3一致性測試,外包信號完整性測試實驗室

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發布時間: 2023-12-17 06:41
最后更新: 2023-12-17 06:41
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RD數據讀測試,DDR2DDR3一致性測試,外包信號完整性測試實驗室


匹配電阻的布局
為了提高信號質量,地址、控制信號一般要求在源端或終端增加匹配電阻;數據信號可以通過調節ODT 來實現,一般不加電阻。布局時要注意電阻的擺放,到電阻端的走線長度對信號質量有影響。布局原則如下:
對于源端匹配電阻靠近CPU(驅動)放,而對于并聯端接則靠近負載端。
而對于終端VTT上拉電阻要放置在相應網絡的末端,即靠近后一個DDR3顆粒的位置放置(T拓撲結構是靠近大T點放置);注意VTT上拉電阻到DDR3顆粒的走線越短越好;走線長度小于500mil;每個VTT上拉電阻對應放置一個VTT的濾波電容(多兩個電阻共用一個電容);VTT電源一般直接在元件面同層鋪銅來完成連接,放置濾波電容時需要兼顧兩方面,一方面要保證有一定的電源通道,另一方面濾波電容不能離上拉電阻太遠,以免影響濾波效果。


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